TiC陶瓷的长期抗氧化性是其航天航空领域应用的关键参数，必须在高温和各种气流环境下进行细致的评估。采用热压烧结法制备TiC单相陶瓷，通过热重-差示扫描热分析仪（TG-DSC）分析TiC陶瓷室温至1500℃的非等温氧化性能。通过管式氧化炉分析TiC陶瓷在不同环境（温度：1000,1200,1500℃，气氛：静态空气，单向空气流，低氧分压气流）下的等温氧化性能，采用单位面积质量变化表征其氧化速率。结果表明：Ti C陶瓷在1200～1500℃时的扩散活化能约为378.78 k J/mol，反应活化能约为17.82 k J/mol。TiC陶瓷氧化后，具有TiO₂氧化层、TiC_xO_y中间层和TiC基体3层结构。氧化动力学结果表明：TiC陶瓷在1200℃时氧化速率由反应速率控制，在1500℃时由氧的扩散控制，而在1000℃时初始阶段（前100 min）为扩散控制，之后则为反应控制。在低氧分压的气流环境下，TiC陶瓷高温氧化的反应速率和扩散速率均受到抑制，可以形成较为致密的TiO₂氧化层。