利用带原位BN涂层的吸波SiC纤维为增强体，以硅氧碳（SiOC）陶瓷为基体，采用先驱体浸渍裂解（precursor infiltration pyrolysis,PIP）工艺制备SiC-BN/SiOC陶瓷基复合材料。在7个PIP制备周期后复合材料实现致密化，密度为2.05 g/cm³，孔隙率为4.28%。采用矢量网络分析仪测试介电常数，结合传输线理论对复合材料在8.2～18 GHz下室温至800℃的吸波性能进行计算优化。结果表明：SiC-BN/SiOC复合材料的室温介电常数呈现出明显的频散效应，使其具有良好的宽频吸波特性。当复合材料厚度为2.1 mm时，在X波段和Ku波段反射损耗优于-10 dB的最大频宽为5.7 GHz。此外，复合材料的复介电常数实部和虚部随着环境温度的升高而增大。在宽频反射损耗优于-5 dB的水平下，材料的最优厚度由2.3 mm（200℃）降至1.1 mm（800℃）。