借助空间限域法制备了毫米级的甲基碘化铅铵（MAPbI₃）单晶片，并利用聚焦离子束刻蚀（FIB）技术在其表面加工周期性结构，使其共振吸收峰调节至近红外波段，基于此有源层构筑了纵向结构的光探测器.相比于MAPbI3单晶片基器件，该器件对双光子近红外光（1064 nm）的探测能力有近2个数量级的显著提高，响应度达0.6 A/W，开关比可达1.7×10～4（动态线性区约84.6 dB），外量子效率为58.2%，比探测率约为6.3×10¹² Jones(1 Jones=1 cm·Hz^1/2·W^-1).研究结果证实了利用FIB技术加工MAPbI₃单晶片表面周期性结构的高度可行性，这将促进钙钛矿单晶片基高性能近红外光探测器的设计和制备.