Ag掺杂In_2O_3薄膜的制备及其光电性能

doi:10.13413/j.cnki.jdxblxb.2023481

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吉林大学学报(理学版) ›› 2024, Vol. 62 ›› Issue (04) : 985-991. DOI: 10.13413/j.cnki.jdxblxb.2023481

Ag掺杂In_2O_3薄膜的制备及其光电性能

韩梦瑶, 孙辉, 周鸥翔, 齐东丽, 李同辉, 沈龙海

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摘要

为研究Ag的掺杂浓度对氧化铟薄膜禁带宽度、光开关比及光探测率等光电性能的影响，采用磁控溅射方法在石英(SiO_2)衬底上制备不同浓度的Ag掺杂氧化铟(In_2O_3∶Ag)薄膜，并利用X射线衍射、 X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计分析In_2O_3∶Ag薄膜的晶体结构、元素含量和价态、表面形貌、禁带宽度及光电性能.结果表明：随着Ag掺杂浓度的增加，In_2O_3∶Ag薄膜的透过率逐渐降低，禁带宽度由2.47 eV减小至2.08 eV,光探测率和光开关比增大；随着掺杂浓度的增加，光谱响应范围增加.