采用磁控溅射在低阻态Si(100)衬底上制备均匀的钛酸钡(BTO)薄膜，通过磁控溅射制备Ag电极，构建Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元。利用XRD,SEM和AFM对不同退火温度和保温时间下的BTO薄膜结构和形貌进行表征，利用数字源表对Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元进行阻变性能测试。结果表明，退火温度750℃、保温0.5 h条件下制备的BTO薄膜结晶度最高，薄膜表面晶体颗粒呈均匀分布，构建的Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元阻变性能最佳，呈现典型的双极性开关效应。