为研究ZnO纳米棒阵列的影响因素，通过聚苯乙烯(polystyrene, PS)纳米球刻蚀法及随后水热生长，在GaN衬底上制备周期有序的ZnO纳米棒阵列。通过选取不同尺寸的PS纳米球、反应离子刻蚀(RIE)的时长、生长温度和前驱体溶液浓度等条件，制备出具有不同周期性、不同形貌的ZnO纳米棒阵列，并通过XRD进行表征。研究结果表明：制备的ZnO纳米棒具有良好的结晶质量且沿着[0001]晶向优先生长。该研究调控了周期有序ZnO纳米棒阵列生长的影响因素，为制备半导体材料有序纳米阵列提供了一种低成本的方法。