[目的]化学机械抛光(CMP)技术广泛应用于半导体制造的多个环节，是实现晶圆表面平坦化的关键步骤，而工艺参数显著影响着CMP效果。[方法]通过正交试验研究了压力、抛光盘转速、磨料粒径及抛光液pH对SiC晶圆抛光时材料去除速率和表面粗糙度的影响。[结果]当在压力400 N、抛光盘转速80 r/min、磨料粒径550 nm、p H 10的条件下抛光时，Si C晶圆Si面和C面的材料去除速率最大，分别为3.85μm/h和4.00μm/h，表面粗糙度也较小，Ra分别为0.165 nm和0.171 nm。[结论]工艺参数是影响材料化学机械抛光效果的重要因素，应合理控制，以实现晶圆表面高效率和高品质的抛光效果。