用于碳化硅晶体生长的多孔碳化钽材料制造理论研究

张逊熙, 曹洪涛, 赵正星, 范金桃

信息记录材料 ›› 2025, Vol. 26 ›› Issue (01) : 1-5. DOI: 10.16009/j.cnki.cn13-1295/tq.2025.01.074

用于碳化硅晶体生长的多孔碳化钽材料制造理论研究

  • 张逊熙, 曹洪涛, 赵正星, 范金桃
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摘要

本研究旨在开发一种基于激光粉末床熔融(laser powder bed fusion, PBF-LB/M)技术的理论模型,以制备用于碳化硅(silicon carbide, SiC)晶体生长的多孔碳化钽(tantalum carbide, TaC)材料。目标是制备孔隙率约为50%,平均孔径为40μm,厚度为2 mm,直径为300 mm的多孔TaC盘片。通过热场模拟和微观结构建模,优化工艺参数,并预测材料的力学和热物理性能。结果表明:PBF-LB/M工艺可以有效控制多孔TaC的孔隙结构和性能,为其在实际应用中的推广提供理论基础。通过有限元分析和模拟研究,研究人员确定了最佳的激光功率、扫描速度和层厚参数。这些优化参数不仅能实现均匀的热场分布,还能在材料的孔隙率和孔径方面达到预期目标。本研究为多孔TaC材料的产业化应用奠定了坚实的理论基础,并为进一步验证提供了详细的指导方向。

关键词

碳化钽(TaC) / 多孔TaC / 碳化硅(SiC)长晶

中图分类号

TQ135.13 / O782 / TQ163.4

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