针对合金量子点（quantum dots, QDs）的制备及其光电性能评估问题，本文提出了一种化学合成方法，通过高温注入法成功制备了具有核壳结构的QDs。具体包括制备CdZnSe核前驱体，以及包覆ZnSe和ZnSeS壳层。结果表明：采用高温包覆的QDs在缺陷态密度上明显低于低温包覆的QDs,表现出更长的平均荧光寿命，验证了高温处理对缺陷态的有效抑制。此外，高温包覆的QDs具有较低的陷阱态密度，最终制备的QDs电致发光器件展现出优异的光电性能，开启电压为2.1 V,最高亮度达365 000 Cd/m²,峰值电流效率为34 Cd/A,且在高电压下仍保持较高的色纯度。这些结果表明了合金QDs在光电应用中具有良好的前景。