硫族化合物SnS在光学及热电领域具有巨大的应用前景。为提高SnS的热电性能，采用化学气相沉积法在柔性云母基底上制备SnSe掺杂（原子分数分别为5%、10%、20%）的SnS基薄膜，使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪和塞贝克系数测试系统研究掺杂浓度对薄膜的形貌和组成、晶体结构、光学和热电性能的影响。测试结果表明：所有样品均为正交相，随着掺杂量的增加，更多的Se原子取代晶格中的S原子，导致晶格常数增大；Se原子对S原子的替代导致A_g振动模式发生红移；室温下，10%SnSe掺杂的SnS薄膜功率因子相对最大，为0.018 mW/（m·K²）,相比SnS本体提高了5倍。