一种具有极化调制层的AlGaN/GaN HEMT结构

代一丹, 陈永和, 田雨, 马旺, 刘子玉

桂林电子科技大学学报 . 2021, (04): 259 -265 . DOI: 10.16725/j.cnki.cn45-1351/tn.2021.04.001