基于应变迁移率模型对应变沟道AlGaN/GaN HEMT器件电子输运特性的研究

刘子玉, 陈永和, 马旺, 孙远远, 杨叶

桂林电子科技大学学报 . 2023, (06): 431 -438 . DOI: 10.16725/j.cnki.cn45-1351/tn.2023.06.011