在分析射频功率放大器(RF PA)的半导体材料、芯片研究现状基础上，总结了半导体技术的发展趋势。通过对半导体材料的特性和PA芯片的性能指标进行分析，发现三代半导体材料皆有优缺点，可根据需要将其分别应用在不同场景，实现共同进步、协调发展。随着PA芯片面积逐渐减小、频率不断增大，对第三代半导体材料和硅基合成材料功放的研究将是未来的热点。为了进一步加快PA的研究进程，通过文献调研总结了半导体技术的5个发展趋势，为RF PA的性能提升和技术发展提供了重要参考，可为我国突破国外厂商壁垒，进一步提升在电子信息、芯片研发领域的核心竞争力奠定一定基础。