为了在宽温度范围内得到较低温漂系数的输出电压,设计了一种电压补偿模式结构的高精度基准电压源,采用栅源电压差分对作差的方式对该基准电压进行温度补偿。MOS管线性区电阻在工作在亚阈值区的2个MOS管的栅源电压差作用下,产生温漂系数较低的偏置电流,通过不同标准电压下的晶体管产生基准电压。基于180nm CMOS器件模型,在cadence上对电路进行设计仿真和对比分析。结果表明,在温度为-25～150℃时,温度系数为3.91ppm/℃;在1.3～3.3V电源电压范围内,电压调整率达到0.58%;在100Hz时,电源抑制比为-63.5dB;功耗仅为115.7nW,芯片面积为0.0054mm²。