针对高密度TSV阵列中相邻TSV受耦合电容影响产生耦合噪声,使信号传输可靠性下降,基于TSV阵列,分析了TSV数量和位置变化对串扰耦合的影响。以3×3 TSV阵列为研究对象,提出了4种布局结构并进行仿真分析。实验结果表明:TSV阵列中的耦合电容不会随着数量的增加而线性增加,边缘相邻TSV间的耦合电容比中间相邻TSV间的耦合电容大40%;根据串扰耦合得到2种利于TSV阵列扩展的结构模型,其具有较好的传输性能。