氧化铟锡（ITO）薄膜因其优异的性能，在显示设备、太阳能电池、气体传感器等中被广泛应用。溅射法制备优质ITO薄膜需要ITO靶材具有高纯度、高致密度、组织均匀和良好的导电性，选择何种原料粉末制备高质量的ITO靶材一直是一个备受争议的话题。为了获取高质量的ITO溅射靶材，分别采用氧化铟锡（ITO）粉体和氧化铟-氧化锡混合粉体为原料，以冷烧结-微波烧结的方式制得了相应的ITO靶材。通过对其相结构、微观形貌、致密度、导电性能及元素分布的分析，对比了2种不同粉体原料在相同的冷烧结-微波烧结条件下制备出的ITO靶材的性能。结果表明，以氧化铟-氧化锡混合粉体为原料制得的ITO靶材表现出更高的致密度、更好的电性能及更细小的晶粒，且以这2种不同形式的原料制得的靶材均呈现出均匀的组分分布。该工作有助于提高ITO靶材的质量，降低生产成本。