PN结是半导体器件结构的基础，对PN结掺杂剂分布的量测直接关系到器件的性能和可靠性。对于掺杂剂分析，二次电子图像展示了巨大的潜力。基于扫描电子显微镜对硅基MOSFET和碳化硅MOSFET的PN结进行量测，发现硅和碳化硅两种材料的掺杂衬度存在明显差异。为探究该差异产生机理，利用样品电流法测量相关材料的二次电子发射系数。分析测试结果发现，掺杂半导体衬度产生与表面态有关，对二次电子图像在半导体量测中的应用具有指导意义。