通过TCAD器件建模，建立了PIN二极管的电热耦合模型，搭建PIN限幅器HPM耦合仿真电路以进行高功率微波效应仿真。仿真得到了不同频率下PIN限幅器瞬态电压响应以及PIN二极管内部电场、载流子、结温分布。仿真结果表明，在HPM耦合电压作用下，PIN限幅器平顶泄漏负向电压随频率增大而降低，PIN限幅器平顶泄漏正向电压随频率增大而降低。PIN二极管内部PIN限幅器的限幅能力随微波频率增加先增强后减弱。HPM频率较低时PIN二极管内部晶格温度积累集中于I层界面处，随着频率升高，晶格温度积累集中于I层中间位置，因此频率变化会造成PIN限幅器的HPM毁伤敏感位置变化。