[目的]硅通孔(TSV)电镀铜填充一般采用PEG(聚乙二醇)类有机化合物抑制剂，但往往存在电镀时间长、易产生空洞、面铜较厚、退火后晶界间缺陷多等问题。[方法]开发了一种新型含丙二醇的复合有机抑制剂，研究了采用它时的TSV填充模式，退火后孔内镀层的结晶状态，以及镀层的杂质含量。[结果]该抑制剂对TSV的填充效果明显优于传统抑制剂，与小分子含硫化合物加速剂复配使用时可实现“自下而上”的均匀填充，且面铜平整，无微孔、气泡等缺陷存在。[结论]该复合有机抑制剂具有很好的工业化应用潜力。