一种低静态电流LDO的设计

杨靳, 唐威, 康敏安, 郭世骁

重庆邮电大学学报(自然科学版) ›› 2024, Vol. 36 ›› Issue (05) : 983-991.

一种低静态电流LDO的设计

  • 杨靳, 唐威, 康敏安, 郭世骁
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摘要

为了延长宽输入电子设备的续航时间,设计了一种低静态电流低压差线性稳压器(low dropout regulator, LDO)。设计中将带隙基准电路所有的MOS管设置在亚阈值区,同时添加一条快速上电通路,这样在兼顾上电时间的同时又保证了低静态电流的需求。利用动态电流偏置技术和瞬态增强电路,解决低静态电流和瞬态响应的矛盾;采用伪等效串联电阻(equiralent series resistance, ESR)补偿、零点补偿等方法,解决低静态电流和稳定性的矛盾。芯片采用0.18μm 30V BCD工艺。LDO输入电压为2.7~30 V,输出电压为1.2~6.5 V,最大负载电流150 mA。仿真结果表明,该LDO的静态电流仅1.3μA,负载电流在1~150 mA跳变时,上冲电压为54 mV,下冲电压为75 mV。

关键词

低压差线性稳压器 / 低静态电流 / 动态电流偏置技术 / 瞬态响应

中图分类号

TM44

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杨靳, 唐威, 康敏安, 郭世骁. 一种低静态电流LDO的设计. 重庆邮电大学学报(自然科学版). 2024, 36(05): 983-991

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